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三星请求半导体器材专利多个水平结构与沟道层之间的电介质层能进步半导体器材的功能
2024-04-13 07:53:49 | 作者:米乐m6在线

  三星请求半导体器材专利,多个水平结构与沟道层之间的电介质层能进步半导体器材的功能

  金融界2024年3月15日音讯,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社请求一项名为“半导体器材“,公开号CN117715436A,请求日期为2023年9月。

  专利摘要显现,一种半导体器材包含衬底。多个水平结构堆叠在衬底上而且彼此间离隔。多个笔直结构穿透多个水平结构。多个笔直结构中的每一个笔直结构包含笔直源极线、笔直位线、沟道层和电介质层。沟道层与笔直源极线和笔直位线非直接触摸。电介质层坐落多个水平结构与沟道层之间。多个水平结构中的每一个水平结构包含:榜首导电层、环绕榜首导电层的至少一部分的铁电层、以及坐落铁电层与电介质层之间的第二导电层。



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